Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Usměrňovací a Schottkyho diody
Typ montáže
Through Hole
Gehäusegröße
TO-247
Maximální trvalý dopředný proud If
40A
Špičkové reverzní opakované napětí Vrrm
1200V
Diodová konfigurace
2x Common Cathode Pair
Řada
STPS
Typ usměrňovače
Dioda usměrňovače
Počet kolíků
3
Betriebstemperatur min.
-65°C
Špičkový nerepetitivní dopředný přepěťový proud Ifsm
140A
Maximální provozní teplota
175°C
Délka
15.75mm
Výška
34.95mm
Normy/schválení
RoHS
Automobilový standard
AEC-Q101
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics SiC diode is available in TO-247 and is an ultrahigh performance power schottky rectifier. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF schottky diode structure with a 1200 V rating. Due to the schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behaviour is independent of temperature.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 465,48
€ 15,516 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
€ 465,48
€ 15,516 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
30
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Usměrňovací a Schottkyho diody
Typ montáže
Through Hole
Gehäusegröße
TO-247
Maximální trvalý dopředný proud If
40A
Špičkové reverzní opakované napětí Vrrm
1200V
Diodová konfigurace
2x Common Cathode Pair
Řada
STPS
Typ usměrňovače
Dioda usměrňovače
Počet kolíků
3
Betriebstemperatur min.
-65°C
Špičkový nerepetitivní dopředný přepěťový proud Ifsm
140A
Maximální provozní teplota
175°C
Délka
15.75mm
Výška
34.95mm
Normy/schválení
RoHS
Automobilový standard
AEC-Q101
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics SiC diode is available in TO-247 and is an ultrahigh performance power schottky rectifier. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF schottky diode structure with a 1200 V rating. Due to the schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behaviour is independent of temperature.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
