Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Schottkyho dioda
Typ montáže
Through Hole
Gehäusegröße
TO-220
Maximální trvalý dopředný proud If
4A
Špičkové reverzní opakované napětí Vrrm
650V
Diodová konfigurace
Schottkyho dioda z karbidu křemíku
Řada
STPSC
Typ usměrňovače
SiC Schottky
Počet kolíků
2
Špičkový zpětný proud Ir
170μA
Maximální dopředné napětí Vf
1.3V
Minimální provozní teplota
-55°C
Špičkový nerepetitivní dopředný přepěťový proud Ifsm
385A
Maximální provozní teplota
175°C
Délka
15.75mm
Výška
4.6mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky rectifier. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF Schottky diode structure with a 650 V rating. Thanks to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behaviour is independent of temperature.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 1,90
€ 1,90 Each (bez DPH)
1
€ 1,90
€ 1,90 Each (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
1
| Množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 1 - 9 | € 1,90 |
| 10 - 99 | € 1,33 |
| 100 - 499 | € 1,15 |
| 500 - 999 | € 1,12 |
| 1000+ | € 1,08 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Schottkyho dioda
Typ montáže
Through Hole
Gehäusegröße
TO-220
Maximální trvalý dopředný proud If
4A
Špičkové reverzní opakované napětí Vrrm
650V
Diodová konfigurace
Schottkyho dioda z karbidu křemíku
Řada
STPSC
Typ usměrňovače
SiC Schottky
Počet kolíků
2
Špičkový zpětný proud Ir
170μA
Maximální dopředné napětí Vf
1.3V
Minimální provozní teplota
-55°C
Špičkový nerepetitivní dopředný přepěťový proud Ifsm
385A
Maximální provozní teplota
175°C
Délka
15.75mm
Výška
4.6mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky rectifier. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF Schottky diode structure with a 650 V rating. Thanks to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behaviour is independent of temperature.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
