Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Diode
Typ montáže
Surface
Gehäusegröße
TO-263
Maximální trvalý dopředný proud If
4A
Špičkové reverzní opakované napětí Vrrm
650V
Diodová konfigurace
Single
Řada
STPSC
Počet kolíků
2
Špičkový zpětný proud Ir
35μA
Maximální dopředné napětí Vf
2.25V
Minimální provozní teplota
-40°C
Špičkový nerepetitivní dopředný přepěťový proud Ifsm
200A
Maximální provozní teplota
175°C
Länge
28.25mm
Výška
4.5mm
Normy/schválení
NACE MR0175, ASME B16.34, API 607, ISO 5211
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics 650V high surge silicon carbide power schottky diode has a current rating of 4A. It is an ultra high performance power schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. Its high forward surge capability ensures good robustness during transient phases. This SiC diode will boost the performance in hard switching condition.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 2 489,70
€ 0,996 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
€ 2 489,70
€ 0,996 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
2500
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Diode
Typ montáže
Surface
Gehäusegröße
TO-263
Maximální trvalý dopředný proud If
4A
Špičkové reverzní opakované napětí Vrrm
650V
Diodová konfigurace
Single
Řada
STPSC
Počet kolíků
2
Špičkový zpětný proud Ir
35μA
Maximální dopředné napětí Vf
2.25V
Minimální provozní teplota
-40°C
Špičkový nerepetitivní dopředný přepěťový proud Ifsm
200A
Maximální provozní teplota
175°C
Länge
28.25mm
Výška
4.5mm
Normy/schválení
NACE MR0175, ASME B16.34, API 607, ISO 5211
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics 650V high surge silicon carbide power schottky diode has a current rating of 4A. It is an ultra high performance power schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. Its high forward surge capability ensures good robustness during transient phases. This SiC diode will boost the performance in hard switching condition.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
