Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Diode
Typ montáže
Surface
Gehäusegröße
PowerFLAT
Maximální trvalý dopředný proud If
8A
Špičkové reverzní opakované napětí Vrrm
650V
Diodová konfigurace
Single
Řada
STPSC
Počet kolíků
5
Špičkový zpětný proud Ir
65μA
Maximální dopředné napětí Vf
1.95V
Minimální provozní teplota
-40°C
Špičkový nerepetitivní dopředný přepěťový proud Ifsm
800A
Maximální provozní teplota
175°C
Länge
7.9mm
Výška
0.75mm
Normy/schválení
NACE MR0175, ASME B16.34, API 607, ISO 5211
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics 650V power schottky silicon carbide diode has a current rating of 8A. It is an ultra high performance power schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. It enables low drop forward voltage associated to high surge capabilities in low space environment such as telecom & network, industrial or renewable energy domain.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 5 801,38
€ 1,934 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 5 801,38
€ 1,934 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
3000
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Diode
Typ montáže
Surface
Gehäusegröße
PowerFLAT
Maximální trvalý dopředný proud If
8A
Špičkové reverzní opakované napětí Vrrm
650V
Diodová konfigurace
Single
Řada
STPSC
Počet kolíků
5
Špičkový zpětný proud Ir
65μA
Maximální dopředné napětí Vf
1.95V
Minimální provozní teplota
-40°C
Špičkový nerepetitivní dopředný přepěťový proud Ifsm
800A
Maximální provozní teplota
175°C
Länge
7.9mm
Výška
0.75mm
Normy/schválení
NACE MR0175, ASME B16.34, API 607, ISO 5211
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics 650V power schottky silicon carbide diode has a current rating of 8A. It is an ultra high performance power schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. It enables low drop forward voltage associated to high surge capabilities in low space environment such as telecom & network, industrial or renewable energy domain.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
