Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Typ produktu
MOSFET
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
22A
Maximální napětí na zdroji Vds
650V
Řada
MDmesh M5
Typ balení
TO-247
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
139mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální napětí zdroje brány Vgs
-25, +25V
Maximální ztrátový výkon Pd
140W
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
64nC
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální pracovní teplota
150°C
Normy/schválení
No
Šířka
5.15mm
Höhe
20.15mm
Délka
15.75mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, Compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 33,50
€ 3,35 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
10
€ 33,50
€ 3,35 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Tuba)
10
| Množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 10 - 99 | € 3,35 |
| 100 - 599 | € 3,13 |
| 600 - 1199 | € 3,10 |
| 1200+ | € 3,06 |
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Typ produktu
MOSFET
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
22A
Maximální napětí na zdroji Vds
650V
Řada
MDmesh M5
Typ balení
TO-247
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
139mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální napětí zdroje brány Vgs
-25, +25V
Maximální ztrátový výkon Pd
140W
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
64nC
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální pracovní teplota
150°C
Normy/schválení
No
Šířka
5.15mm
Höhe
20.15mm
Délka
15.75mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, Compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.