Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
28A
Maximální napětí na zdroji Vds
710V
Řada
MDmesh M5
Gehäusegröße
TO-247
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
110mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální ztrátový výkon Pd
190W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
62.5nC
Maximální provozní teplota
150°C
Délka
15.75mm
Normy/schválení
No
Výška
20.15mm
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, Compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 6,54
€ 6,54 Each (bez DPH)
Štandardný
1
€ 6,54
€ 6,54 Each (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
1
| Množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 1 - 9 | € 6,54 |
| 10 - 99 | € 4,34 |
| 100 - 599 | € 3,16 |
| 600 - 1199 | € 3,12 |
| 1200+ | € 3,08 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
28A
Maximální napětí na zdroji Vds
710V
Řada
MDmesh M5
Gehäusegröße
TO-247
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
110mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální ztrátový výkon Pd
190W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
62.5nC
Maximální provozní teplota
150°C
Délka
15.75mm
Normy/schválení
No
Výška
20.15mm
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, Compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
