Ne, řada: MDmesh DM2 MOSFET Typ N-kanálový 50 A 600 V STMicroelectronics, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
50A
Maximální napětí na zdroji Vds
600V
Gehäusegröße
TO-247
Řada
MDmesh DM2
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
60mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Typický náboj brány Qg @ Vgs
90nC
Maximální ztrátový výkon Pd
360W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25 V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Přímé napětí Vf
-5.5V
Maximální provozní teplota
150°C
Délka
15.75mm
Breite
5.15 mm
Výška
20.15mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Řada N-Channel MDmesh DM2 STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET MDmesh DM2 nabízejí málo RDS(on) a s vylepšenou dobou obnovení diodového zpětného chodu pro efektivitu je tato řada optimalizována pro topologie ZVS s fázovým přenosem přes celý můstek.
Funkce DV/dt pro vyšší spolehlivost systému
Certifikát podle normy AEC-Q101
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 223,96
€ 7,465 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
€ 223,96
€ 7,465 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
30
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
50A
Maximální napětí na zdroji Vds
600V
Gehäusegröße
TO-247
Řada
MDmesh DM2
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
60mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Typický náboj brány Qg @ Vgs
90nC
Maximální ztrátový výkon Pd
360W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25 V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Přímé napětí Vf
-5.5V
Maximální provozní teplota
150°C
Délka
15.75mm
Breite
5.15 mm
Výška
20.15mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Řada N-Channel MDmesh DM2 STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET MDmesh DM2 nabízejí málo RDS(on) a s vylepšenou dobou obnovení diodového zpětného chodu pro efektivitu je tato řada optimalizována pro topologie ZVS s fázovým přenosem přes celý můstek.
Funkce DV/dt pro vyšší spolehlivost systému
Certifikát podle normy AEC-Q101
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products