Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
42A
Maximální napětí na zdroji Vds
710V
Gehäusegröße
TO-247
Řada
MDmesh M5
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
63mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
250W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
98nC
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální provozní teplota
150°C
Výška
20.15mm
Länge
15.75mm
Normy/schválení
NACE MR0175, ASME B16.34, API 607, ISO 5211
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, Compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 70,60
€ 7,06 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
10
€ 70,60
€ 7,06 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Tuba)
10
| Množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 10 - 99 | € 7,06 |
| 100 - 599 | € 6,98 |
| 600+ | € 6,89 |
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
42A
Maximální napětí na zdroji Vds
710V
Gehäusegröße
TO-247
Řada
MDmesh M5
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
63mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
250W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
98nC
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální provozní teplota
150°C
Výška
20.15mm
Länge
15.75mm
Normy/schválení
NACE MR0175, ASME B16.34, API 607, ISO 5211
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, Compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.