Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
Type N
Typ produktu
MOSFET
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
55A
Maximální napětí na zdroji Vds
30V
Řada
STW
Gehäusegröße
TO-247
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
4
Maximální odpor zdroje Rds
45mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální provozní teplota
-55°C
Přímé napětí Vf
1.5V
Typický náboj brány Qg @ Vgs
118nC
Maximální ztrátový výkon Pd
480W
Maximální provozní teplota
150°C
Normy/schválení
UL
Délka
40.92mm
Výška
5.1mm
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series, Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 106,10
€ 10,61 Each (Supplied in a Tray) (bez DPH)
Výrobné balenie (Zásobník)
10
€ 106,10
€ 10,61 Each (Supplied in a Tray) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Zásobník)
10
| Množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 10 - 119 | € 10,61 |
| 120 - 509 | € 9,46 |
| 510+ | € 9,34 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
Type N
Typ produktu
MOSFET
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
55A
Maximální napětí na zdroji Vds
30V
Řada
STW
Gehäusegröße
TO-247
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
4
Maximální odpor zdroje Rds
45mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální provozní teplota
-55°C
Přímé napětí Vf
1.5V
Typický náboj brány Qg @ Vgs
118nC
Maximální ztrátový výkon Pd
480W
Maximální provozní teplota
150°C
Normy/schválení
UL
Délka
40.92mm
Výška
5.1mm
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series, Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
