Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
69A
Maximální napětí na zdroji Vds
650V
Gehäusegröße
TO-247
Řada
MDmesh M5
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
38mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
185nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25V
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální ztrátový výkon Pd
400W
Maximální pracovní teplota
150°C
Höhe
20.15mm
Länge
15.75mm
Normy/schválení
No
Breite
5.15mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, Compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 110,60
€ 11,06 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
10
€ 110,60
€ 11,06 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Tuba)
10
| Množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 10 - 99 | € 11,06 |
| 100+ | € 10,93 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
69A
Maximální napětí na zdroji Vds
650V
Gehäusegröße
TO-247
Řada
MDmesh M5
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
38mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
185nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25V
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální ztrátový výkon Pd
400W
Maximální pracovní teplota
150°C
Höhe
20.15mm
Länge
15.75mm
Normy/schválení
No
Breite
5.15mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, Compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
