Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
55A
Maximální napětí na zdroji Vds
30V
Typ balení
TO-247
Řada
STW
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
4
Maximální odpor zdroje Rds
45mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
320W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
52.6nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25V
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální pracovní teplota
150°C
Höhe
5.1mm
Délka
40.92mm
Normy/schválení
UL
Breite
15.8mm
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series, Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 132,16
€ 4,405 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
€ 132,16
€ 4,405 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
30
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 30 - 120 | € 4,405 | € 132,16 |
| 150+ | € 4,252 | € 127,57 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
55A
Maximální napětí na zdroji Vds
30V
Typ balení
TO-247
Řada
STW
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
4
Maximální odpor zdroje Rds
45mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
320W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
52.6nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25V
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální pracovní teplota
150°C
Höhe
5.1mm
Délka
40.92mm
Normy/schválení
UL
Breite
15.8mm
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series, Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
