Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Typ produktu
MOSFET
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
68A
Maximální napětí na zdroji Vds
650V
Řada
ST
Typ balení
TO-247
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
0.036Ω
Režim kanálu
Depletion
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25V
Přímé napětí Vf
1.6V
Maximální ztrátový výkon Pd
450W
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
125nC
Maximální pracovní teplota
150°C
Normy/schválení
No
Šířka
5.1mm
Höhe
41.2mm
Délka
15.9mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 329,40
€ 10,98 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
€ 329,40
€ 10,98 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
30
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 30 - 120 | € 10,98 | € 329,40 |
| 150+ | € 10,288 | € 308,65 |
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Typ produktu
MOSFET
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
68A
Maximální napětí na zdroji Vds
650V
Řada
ST
Typ balení
TO-247
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
0.036Ω
Režim kanálu
Depletion
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25V
Přímé napětí Vf
1.6V
Maximální ztrátový výkon Pd
450W
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
125nC
Maximální pracovní teplota
150°C
Normy/schválení
No
Šířka
5.1mm
Höhe
41.2mm
Délka
15.9mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market.