Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Typ produktu
MOSFET
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
72A
Maximální napětí na zdroji Vds
600V
Typ balení
TO-247
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
36mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
446W
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
106nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25V
Přímé napětí Vf
1.6V
Maximální pracovní teplota
150°C
Höhe
21.1mm
Délka
15.9mm
Normy/schválení
No
Šířka
5.1mm
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The new MDmesh™ M6 technology incorporates the most recent advancements to the well-known and consolidated MDmesh family of SJ MOSFETs. STMicroelectronics builds on the previous generation of MDmesh devices through its new M6 technology, which combines excellent RDS(on) per area improvement with one of the most effective switching behaviors available, as well as a user-friendly experience for maximum end-application efficiency.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 250,62
€ 8,354 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
€ 250,62
€ 8,354 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
30
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 30 - 120 | € 8,354 | € 250,62 |
| 150+ | € 8,251 | € 247,52 |
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Typ produktu
MOSFET
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
72A
Maximální napětí na zdroji Vds
600V
Typ balení
TO-247
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
36mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
446W
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
106nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25V
Přímé napětí Vf
1.6V
Maximální pracovní teplota
150°C
Höhe
21.1mm
Délka
15.9mm
Normy/schválení
No
Šířka
5.1mm
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The new MDmesh™ M6 technology incorporates the most recent advancements to the well-known and consolidated MDmesh family of SJ MOSFETs. STMicroelectronics builds on the previous generation of MDmesh devices through its new M6 technology, which combines excellent RDS(on) per area improvement with one of the most effective switching behaviors available, as well as a user-friendly experience for maximum end-application efficiency.