Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
55A
Maximální napětí na zdroji Vds
30V
Gehäusegröße
TO-247
Řada
STW
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
4
Maximální odpor zdroje Rds
45mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Typický náboj brány Qg @ Vgs
118nC
Maximální ztrátový výkon Pd
480W
Minimální provozní teplota
-55°C
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální provozní teplota
150°C
Normy/schválení
UL
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series, Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 13,81
€ 13,81 Each (bez DPH)
Štandardný
1
€ 13,81
€ 13,81 Each (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
1
| Množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 1 - 9 | € 13,81 |
| 10 - 99 | € 11,26 |
| 100 - 599 | € 9,34 |
| 600 - 1199 | € 9,18 |
| 1200+ | € 9,07 |
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
55A
Maximální napětí na zdroji Vds
30V
Gehäusegröße
TO-247
Řada
STW
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
4
Maximální odpor zdroje Rds
45mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Typický náboj brány Qg @ Vgs
118nC
Maximální ztrátový výkon Pd
480W
Minimální provozní teplota
-55°C
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální provozní teplota
150°C
Normy/schválení
UL
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series, Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.