Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Výstupní proud
10mA
Počet kolíků
14
Doba poklesu
90ns
Gehäusegröße
SO-16
Typ budiče
MOSFET
Čas náběhu
175ns
Minimální napájecí napětí
26V
Počet budičů
1
Maximální napájecí napětí
26V
Minimální provozní teplota
-40°C
Maximální provozní teplota
125°C
Délka
8.75mm
Výška
1.65mm
Normy/schválení
No
Typ montáže
Surface
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The TD350E device is an advanced gate driver for IGBTs and power MOSFETs. Control and protection functions are included and allow the design of high reliability systems.
The innovative active Miller clamp function eliminates the need for negative gate drive in most applications and allows the use of a simple bootstrap supply for the high side driver.
The device includes a two-level turn-off feature with adjustable level and delay. This function protects against excessive overvoltage at turn-off in case of overcurrent or short-circuit conditions. The same delay set in the two-level turn-off feature is applied at turn-on to prevent pulse width distortion.
The device also includes IGBT desaturation protection and a FAULT status output, and is compatible with both pulse transformer and optocoupler signals.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 3 311,65
€ 1,325 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
€ 3 311,65
€ 1,325 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
2500
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | € 1,325 | € 3 311,65 |
| 5000+ | € 1,308 | € 3 270,77 |
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Výstupní proud
10mA
Počet kolíků
14
Doba poklesu
90ns
Gehäusegröße
SO-16
Typ budiče
MOSFET
Čas náběhu
175ns
Minimální napájecí napětí
26V
Počet budičů
1
Maximální napájecí napětí
26V
Minimální provozní teplota
-40°C
Maximální provozní teplota
125°C
Délka
8.75mm
Výška
1.65mm
Normy/schválení
No
Typ montáže
Surface
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The TD350E device is an advanced gate driver for IGBTs and power MOSFETs. Control and protection functions are included and allow the design of high reliability systems.
The innovative active Miller clamp function eliminates the need for negative gate drive in most applications and allows the use of a simple bootstrap supply for the high side driver.
The device includes a two-level turn-off feature with adjustable level and delay. This function protects against excessive overvoltage at turn-off in case of overcurrent or short-circuit conditions. The same delay set in the two-level turn-off feature is applied at turn-on to prevent pulse width distortion.
The device also includes IGBT desaturation protection and a FAULT status output, and is compatible with both pulse transformer and optocoupler signals.