Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
Type N
Typ produktu
MOSFET
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
35A
Maximální napětí na zdroji Vds
710V
Řada
MDmesh M5
Gehäusegröße
TO-220
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
78mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální ztrátový výkon Pd
210W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
82nC
Maximální provozní teplota
150°C
Normy/schválení
NACE MR0175, ASME B16.34, API 607, ISO 5211
Výška
15.75mm
Délka
10.4mm
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 285,90
€ 5,718 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
50
€ 285,90
€ 5,718 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Tuba)
50
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 50 - 120 | € 5,718 | € 28,59 |
| 125+ | € 5,422 | € 27,11 |
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
Type N
Typ produktu
MOSFET
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
35A
Maximální napětí na zdroji Vds
710V
Řada
MDmesh M5
Gehäusegröße
TO-220
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
78mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální ztrátový výkon Pd
210W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
82nC
Maximální provozní teplota
150°C
Normy/schválení
NACE MR0175, ASME B16.34, API 607, ISO 5211
Výška
15.75mm
Délka
10.4mm
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.