Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Diode
Typ montáže
Through Hole
Gehäusegröße
TO-220
Maximální trvalý dopředný proud If
22A
Špičkové reverzní opakované napětí Vrrm
650V
Diodová konfigurace
Single
Řada
STPSC
Typ usměrňovače
Schottkyho dioda
Počet kolíků
2
Maximální dopředné napětí Vf
2.5V
Minimální provozní teplota
-40°C
Špičkový nerepetitivní dopředný přepěťový proud Ifsm
200A
Špičkový zpětný proud Ir
170μA
Maximální provozní teplota
175°C
Länge
10.4mm
Normy/schválení
NACE MR0175, ASME B16.34, API 607, ISO 5211
Výška
15.9mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
A Silicon Carbide (SiC) diode is an ultra-high performance power Schottky rectifier.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 14,00
€ 1,40 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
10
€ 14,00
€ 1,40 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Tuba)
10
| Množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 10 - 99 | € 1,40 |
| 100 - 499 | € 1,38 |
| 500 - 999 | € 1,36 |
| 1000+ | € 1,35 |
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Diode
Typ montáže
Through Hole
Gehäusegröße
TO-220
Maximální trvalý dopředný proud If
22A
Špičkové reverzní opakované napětí Vrrm
650V
Diodová konfigurace
Single
Řada
STPSC
Typ usměrňovače
Schottkyho dioda
Počet kolíků
2
Maximální dopředné napětí Vf
2.5V
Minimální provozní teplota
-40°C
Špičkový nerepetitivní dopředný přepěťový proud Ifsm
200A
Špičkový zpětný proud Ir
170μA
Maximální provozní teplota
175°C
Länge
10.4mm
Normy/schválení
NACE MR0175, ASME B16.34, API 607, ISO 5211
Výška
15.9mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
A Silicon Carbide (SiC) diode is an ultra-high performance power Schottky rectifier.